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日本Sip风险企业SFT将联手冲电气从08年开始量产SiP
2007-09-27

日本Sip风险企业SFT将联手冲电气从08年开始量产SiP
冲电气工业和System Fabrication Technologies(SFT)宣布,双方在采用SFT自主技术的SiP“System In Silicon(SiS)”的量产方面展开了合作。
  SiS是一种通过硅内插板(Interposer)将SFT开发的、具备高频接口的内存芯片(SISRAM)与执行图像处理等的逻辑LSI(ASIC)连接起来的SiP。由于内存芯片间和逻辑LSI间的带宽较大,因此, 与在印刷底板上封装DDR型内存(在其它封装中)及逻辑LSI相比,具有功耗及体积较小的特点。SiS与在板卡上封装DDR型内存(在其它封装中)和逻辑LSI相比,接口部分的功耗可降至1/10以下。
  在此次的合作中,冲电气负责所有组装部分。具体为,首先在晶圆状态的芯片上形成凸起,并对其进行切割。同时还要在硅内插板上形成凸起。然后对芯片和底板进行倒装芯片封装,制作SiP模块。最后将该模块集成在LSI封装中。微小凸起的直径为30μm,邻接的微小凸起之间的距离为50μm,都很小。另外,冲电气不负责芯片制造。
  为了确立上述组装技术,冲电气采用了NEDO助成项目(2004年7月~2007年3月实施的“层叠内存芯片技术开发项目”)中的成果(该成果由该公司与尔必达内存、NEC电子联合开发)。上述微凸起的形成等就是其中之一。另外,冲电气还使用了从2002年开始投入量产的、晶圆级CSP技术。比如,在晶圆状态下进行加工,以及在形成微小凸起前进行镀金处理。
  最初的SiS产品是面向日本国内设备厂商的样品,现已完成。目前正由设备厂商进行评测。配备该SiS的产品预定2008年投放市场。“包括此次的品种在内,预定2008年开始量3~4种SiS”。



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