日本Sip风险企业SFT将联手冲电气从08年开始量产SiP冲电气工业和System Fabrication Technologies（SFT）宣布，双方在采用SFT自主技术的SiP“System In Silicon（SiS）”的量产方面展开了合作。
　　SiS是一种通过硅内插板（Interposer）将SFT开发的、具备高频接口的内存芯片（SISRAM）与执行图像处理等的逻辑LSI（ASIC）连接起来的SiP。由于内存芯片间和逻辑LSI间的带宽较大，因此, 与在印刷底板上封装DDR型内存(在其它封装中)及逻辑LSI相比，具有功耗及体积较小的特点。SiS与在板卡上封装DDR型内存(在其它封装中)和逻辑LSI相比，接口部分的功耗可降至1/10以下。
　　在此次的合作中，冲电气负责所有组装部分。具体为，首先在晶圆状态的芯片上形成凸起，并对其进行切割。同时还要在硅内插板上形成凸起。然后对芯片和底板进行倒装芯片封装，制作SiP模块。最后将该模块集成在LSI封装中。微小凸起的直径为30μm，邻接的微小凸起之间的距离为50μm，都很小。另外，冲电气不负责芯片制造。
　　为了确立上述组装技术，冲电气采用了NEDO助成项目（2004年7月～2007年3月实施的“层叠内存芯片技术开发项目”）中的成果（该成果由该公司与尔必达内存、NEC电子联合开发）。上述微凸起的形成等就是其中之一。另外，冲电气还使用了从2002年开始投入量产的、晶圆级CSP技术。比如，在晶圆状态下进行加工，以及在形成微小凸起前进行镀金处理。
　　最初的SiS产品是面向日本国内设备厂商的样品，现已完成。目前正由设备厂商进行评测。配备该SiS的产品预定2008年投放市场。“包括此次的品种在内，预定2008年开始量3～4种SiS”。