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美国ITC正式对绝缘硅晶片启动337调查

2015-09-23

美国ITC正式对绝缘硅晶片启动337调查

2015年9月18日，美国国际贸易委员会（ITC）投票决定对部分绝缘硅晶片（certain silicon-on-insulator（“SIO”）wafers）启动337调查。涉案产品是被用于手机和其他移动设备无线电频率模块的制造上。

2015年8月19日，Silicon Genesis Corp.向美国ITC提出申请，指控美国进口以及美国国内市场销售的部分绝缘体硅晶片侵犯了其专利权，申请启动337调查，并发布普遍排除令和禁止令。

美国ITC最终将Soitec公司（SOITEC Silicon on Insulator Technologies,S.A.）指定为本案的被诉方。