东芝计划增加投资，将NAND闪存产量提高一倍东芝公司公布了在未来三年投资2万亿日元（180亿美元）的投资计划，其中一半将用于半导体（主要用于扩大NAND闪存的产量）。

在5月11日公布的中期商业计划中，东芝公司肯定了早期提高NAND闪存产量的计划，在建立两个新厂后，其NAND闪存产量的产量将会提高一倍。东芝的主席兼行政主管AtsutoshiNishid在一次展示会上称。

在今年4月份早些时候，东芝和其NAND生产合作伙伴SanDiskCorp.公布了建立Fab4的计划，Fab4将建在东芝Yokkaichi的场地内。Fab4将每月生产100,000晶片，Fab4计划2007年第四季度开始运营。

东芝也肯定将再建立一个工厂Fab5的传闻，Fab5将建在其他地方。“在建完Fab4之后，Yokkaichi的场地将全部用完。我们正在找一个建Fab5的地点。”Nishida称。

Fab5计划2008年财政年度开始运营，东芝和SanDisk分享所有权。

在回答关于可能的生产过剩的担忧时，Nishida说道：“尽管我们已经预算在半导体上投资10，200亿日元，我们将根据市场情况决定实际的投资操作。但我们的生产能力远比预期的NAND需求要少得多。

东芝预计NAND市场到2008年将达到230亿美元，高于今年的170亿美元。

中期投资计划要求年综合销售增长7%。东芝预计实现利润增长5%。