氮化镓早期商业应用机会由高能量电子产品决定根据StrategyAnalytics，到2010年，军事以及高能量电子产品应用对于氮化镓（Galliumnitride，GaN）设备市场的发展将起到推动的作用。一项最近的研究发现，商用无线基础设施应用也将推动对氮化镓设备的需求。该报道预测到2010年GaN微电子设备市场的复合年均增长率（CAGR）将达到151%。

作为一种材料，GaN拥有一些独特的材料性能，从而使创制具有高抗压强度、极高能量密度的新型设备成为可能。GaN的抗高温以及优异的热传导性能使其成为高能量应用以及高温、极度环境应用的理想材料。

“军事和高能量电子产品市场在将来都会利用到宽能隙材料如GaN所提供的优点。这将促进GaN设备市场的发展。”

StrategyAnalyticsGaAs服务的主管AsifAnwar说道。“另一方面，商用无线通讯市场的需求还没有真正将正在使用的技术、SiLDMOS和GaAspHEMT置于主要的竞争压力之下，尽管GaN将会在未来的几年中开始渗入这些市场。”

“未来的GaN设备生产将继续集中在非本地基（non-nativesubstrates）上。”StrategyAnalytics的StephenEntwistle说道。“我们预期SiC材料将继续是基片的首选，硅基也将获得增长。”