IBM、Intel竞相研发“3D”芯片IBM正在研发一种名为“穿透硅通道”(TSV)的新技术，可以以更低的功耗、更强的性能、更高的效率将多个或多种芯片互连在一起。
　　TSV技术不仅可以连接两块芯片内的不同核心，还能将处理器和内存等不同部件连在一起，并通过数千个微小的连线传输数据，比如在硅锗芯片中，通过钻出许多细微的孔洞并以钨材料填充，就能得到TSV。相比之下，目前的芯片大多使用总线(bus)通道传输数据，容易造成堵塞、影响效率。
　　更加节能也是TSV的特色之一。据称，TSV可将硅锗芯片的功耗降低大约40％。
　　另外，由于改用垂直方式堆叠成“3D”芯片，TSV还能大大节约主板空间。目前也有垂直堆叠芯片，但都是通过总线互连，因此不具备TSV的高带宽优势，因为TSV是直接连接顶部芯片和底部芯片的。
　　事实上，Intel早在2005年就率先投入了TSV技术的研发，其80核心处理器中就有这种技术的身影，不过IBM会率先将其投入实用。IBM计划今年底提供TSV通信芯片样品，明年开始商业性投产。IBM还计划在其蓝色基因超级计算机中部署TSV芯片。
　　在3-5年后，TSV技术有望直接连接处理器与内存，因此内存控制器将成为无用之物。在这种情况下，TSV可以带来10％的性能提升和20％的能耗节约。
　　TSV还有可能会改变芯片的销售方式，因为它可以提供一体化解决方案，无需再单独挑选各种部件。
　　Intel暂时没有将TSV投入实用的计划，其80核心处理器也只是出于研究目的。Intel指出，由于处理器的发热量远远大于内存芯片，所以将其堆叠在一起必须首先很好地解决散热问题。